Vishay Siliconix - SIHP240N60E-GE3

KEY Part #: K6418381

SIHP240N60E-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [61139पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.63953

भाग संख्या:
SIHP240N60E-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - TRIACs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP240N60E-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIHP240N60E-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB
श्रृंखला : E
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 12A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 795pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 78W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AB
प्याकेज / केस : TO-220-3

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