TSM120NA03CR RLG मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [454516पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.08138
- भाग संख्या:
- TSM120NA03CR RLG
- निर्माता:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM120NA03CR RLG electronic components. TSM120NA03CR RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM120NA03CR RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM120NA03CR RLG उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TSM120NA03CR RLG
निर्माता :
Taiwan Semiconductor Corporation
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
39A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
11.7 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
9.2nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
562pF @ 15V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
33W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-PDFN (5x6)
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN
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