IPP60R299CPXKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [27106पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.32210
- 10 pcs$1.19430
- 100 pcs$0.91062
- 500 pcs$0.70826
- 1,000 pcs$0.58685
- भाग संख्या:
- IPP60R299CPXKSA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-220.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPP60R299CPXKSA1 electronic components. IPP60R299CPXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP60R299CPXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP60R299CPXKSA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPP60R299CPXKSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
श्रृंखला :
CoolMOS™
भाग स्थिति :
Not For New Designs
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
11A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 440µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1100pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
96W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO220-3
प्याकेज / केस :
TO-220-3
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