वर्णन :
GANFET N-CH 650V 50A TO247
भाग स्थिति :
Not For New Designs
टेक्नोलोजी :
GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
50A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.65V @ 700µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
42nC @ 8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2197pF @ 400V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
178W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-247-3