GeneSiC Semiconductor - 2N7635-GA

KEY Part #: K6404292

2N7635-GA मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [8725पीसी स्टक]

  • 10 pcs$112.26577

भाग संख्या:
2N7635-GA
निर्माता:
GeneSiC Semiconductor
विस्तृत विवरण:
TRANS SJT 650V 4A TO-257.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7635-GA उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 2N7635-GA
निर्माता : GeneSiC Semiconductor
वर्णन : TRANS SJT 650V 4A TO-257
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : -
टेक्नोलोजी : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4A (Tc) (165°C)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : -
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 415 mOhm @ 4A
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : -
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 324pF @ 35V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 47W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 225°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-257
प्याकेज / केस : TO-257-3
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
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