Infineon Technologies - IRFL4105TR

KEY Part #: K6415043

[12547पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    IRFL4105TR
    निर्माता:
    Infineon Technologies
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs and Thyristors - TRIACs ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Infineon Technologies IRFL4105TR electronic components. IRFL4105TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFL4105TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFL4105TR उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : IRFL4105TR
    निर्माता : Infineon Technologies
    वर्णन : MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
    श्रृंखला : HEXFET®
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 55V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3.7A (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 45 mOhm @ 3.7A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 35nC @ 10V
    Vgs (अधिकतम) : ±20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 660pF @ 25V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1W (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-223
    प्याकेज / केस : TO-261-4, TO-261AA

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