Rohm Semiconductor - TT8U2TCR

KEY Part #: K6393207

TT8U2TCR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [641875पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.10778
  • 3,000 pcs$0.10724

भाग संख्या:
TT8U2TCR
निर्माता:
Rohm Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एकल and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TT8U2TCR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TT8U2TCR
निर्माता : Rohm Semiconductor
वर्णन : MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.4A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 6.7nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 850pF @ 10V
FET फिचर : Schottky Diode (Isolated)
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.25W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-TSST
प्याकेज / केस : 8-SMD, Flat Lead

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