Vishay Siliconix - SIR880ADP-T1-GE3

KEY Part #: K6419233

SIR880ADP-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [98339पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.39761
  • 3,000 pcs$0.37253

भाग संख्या:
SIR880ADP-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Siliconix SIR880ADP-T1-GE3 electronic components. SIR880ADP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR880ADP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR880ADP-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIR880ADP-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 60A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 6.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2289pF @ 40V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 5.4W (Ta), 83W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® SO-8
प्याकेज / केस : PowerPAK® SO-8

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ