Texas Instruments - CSD86311W1723

KEY Part #: K6522324

CSD86311W1723 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [203660पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.18697
  • 3,000 pcs$0.18604

भाग संख्या:
CSD86311W1723
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD86311W1723 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD86311W1723
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
श्रृंखला : NexFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4.5A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 39 mOhm @ 2A, 8V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 585pF @ 12.5V
पावर - अधिकतम : 1.5W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 12-UFBGA, DSBGA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 12-DSBGA

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