Rohm Semiconductor - SH8J31GZETB

KEY Part #: K6525222

SH8J31GZETB मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [135497पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.30177
  • 2,500 pcs$0.30027

भाग संख्या:
SH8J31GZETB
निर्माता:
Rohm Semiconductor
विस्तृत विवरण:
60V PCHPCH MIDDLE POWER MOSFET.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SH8J31GZETB उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SH8J31GZETB
निर्माता : Rohm Semiconductor
वर्णन : 60V PCHPCH MIDDLE POWER MOSFET
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 P-Channel (Dual)
FET फिचर : -
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4.5A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 70 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 40nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2500pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 2W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SOP

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