BSP135H6433XTMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [168221पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.22097
- 4,000 pcs$0.21987
- भाग संख्या:
- BSP135H6433XTMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies BSP135H6433XTMA1 electronic components. BSP135H6433XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP135H6433XTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP135H6433XTMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
BSP135H6433XTMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
श्रृंखला :
SIPMOS®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
120mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
0V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
45 Ohm @ 120mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 94µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
4.9nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
146pF @ 25V
FET फिचर :
Depletion Mode
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.8W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-223
प्याकेज / केस :
TO-261-4, TO-261AA
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- FQPF1N50
- FDS6679Z
- IRF9Z34NSTRR
- IRFBC30A
- IRLZ24
- PH2625L,115
- STF13NM60N-H
- IRF830
- IXTQ200N06P
- AUIRFP4409
- IXTH98N20T
- IPC302N25N3X1SA1
- AUIRF3205ZSTRL
- IPB80P04P4L04ATMA1
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