DMNH10H028SCT मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [55012पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.67732
- 50 pcs$0.54085
- 100 pcs$0.47325
- 500 pcs$0.34717
- 1,000 pcs$0.27408
- भाग संख्या:
- DMNH10H028SCT
- निर्माता:
- Diodes Incorporated
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET BVDSS 61V 100VTO220-3T.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Diodes Incorporated DMNH10H028SCT electronic components. DMNH10H028SCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMNH10H028SCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMNH10H028SCT उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
DMNH10H028SCT
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET BVDSS 61V 100VTO220-3T
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
60A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
31.9nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1942pF @ 50V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.8W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220AB
प्याकेज / केस :
TO-220-3
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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- IRFBC30A
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- PH2625L,115
- STF13NM60N-H
- IRF830
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