Microsemi Corporation - JANS1N3595US

KEY Part #: K6441508

JANS1N3595US मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [736पीसी स्टक]

  • 1 pcs$78.75648
  • 10 pcs$73.61096
  • 25 pcs$71.03695

भाग संख्या:
JANS1N3595US
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200MA DO35. Rectifiers Switching Diode
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Microsemi Corporation JANS1N3595US electronic components. JANS1N3595US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N3595US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANS1N3595US उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : JANS1N3595US
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : DIODE GEN PURP 200MA DO35
श्रृंखला : Military, MIL-S-19500-241
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : -
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 200mA (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1V @ 200mA
गति : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 3µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 1nA @ 125V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SQ-MELF, B
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : B, SQ-MELF
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 150°C

ताजा समाचारहरू

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • MBRB10H90CTHE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 90V 5A TO263AB.

  • MBRB10H90HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO263AB.