GeneSiC Semiconductor - MBR40035CTRL

KEY Part #: K6476007

[5908पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    MBR40035CTRL
    निर्माता:
    GeneSiC Semiconductor
    विस्तृत विवरण:
    DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR40035CTRL electronic components. MBR40035CTRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR40035CTRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MBR40035CTRL उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : MBR40035CTRL
    निर्माता : GeneSiC Semiconductor
    वर्णन : DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    डायोड कन्फिगरेसन : 1 Pair Common Anode
    डायोड प्रकार : Schottky
    भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 35V
    वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 200A
    भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 600mV @ 200A
    गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
    वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 3mA @ 35V
    अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C
    माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
    प्याकेज / केस : Twin Tower
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Twin Tower
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    • MBR2060CT-E1

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      Vishay Semiconductor Diodes Division

      RECT SCHOTTKY 60V 10A TO-220AB.

    • VT1060CHM3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      RECT SCHOTTKY 60V 5A TO-220AB.