IXYS - IXFP6N120P

KEY Part #: K6398897

IXFP6N120P मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [13592पीसी स्टक]

  • 1 pcs$3.33169
  • 10 pcs$2.99940
  • 100 pcs$2.46629
  • 500 pcs$2.06634
  • 1,000 pcs$1.79971

भाग संख्या:
IXFP6N120P
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP6N120P उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXFP6N120P
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
श्रृंखला : HiPerFET™, PolarP2™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 6A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2830pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 250W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AB
प्याकेज / केस : TO-220-3

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