GeneSiC Semiconductor - GC10MPS12-252

KEY Part #: K6433571

GC10MPS12-252 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [15875पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.59594

भाग संख्या:
GC10MPS12-252
निर्माता:
GeneSiC Semiconductor
विस्तृत विवरण:
SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 10A TO-252-2
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GC10MPS12-252 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : GC10MPS12-252
निर्माता : GeneSiC Semiconductor
वर्णन : SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Silicon Carbide Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 50A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.8V @ 10A
गति : No Recovery Time > 500mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 0ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : 660pF @ 1V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-252-2
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C
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