Infineon Technologies - IRF7324D1TRPBF

KEY Part #: K6400922

IRF7324D1TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3229पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$0.32154
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  • 500 pcs$0.18373
  • 1,000 pcs$0.14698

भाग संख्या:
IRF7324D1TRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7324D1TRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRF7324D1TRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
श्रृंखला : FETKY™
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.7V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 700mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 7.8nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 260pF @ 15V
FET फिचर : Schottky Diode (Isolated)
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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