Diodes Incorporated - DMP1012UCB9-7

KEY Part #: K6392980

DMP1012UCB9-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [263135पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.14056
  • 3,000 pcs$0.12490

भाग संख्या:
DMP1012UCB9-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 8V 10A.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP1012UCB9-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMP1012UCB9-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET P-CH 8V 10A
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 8V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 10A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 10 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 10.5nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : -6V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1060pF @ 4V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 890mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : U-WLB1515-9
प्याकेज / केस : 9-UFBGA, WLBGA

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