भाग संख्या :
SSM3J338R,LF
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
6A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 8V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
17.6 mOhm @ 6A, 8V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
19.5nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1400pF @ 6V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-23F
प्याकेज / केस :
SOT-23-3 Flat Leads