SIHG33N65EF-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [11793पीसी स्टक]
- 1 pcs$3.37135
- 10 pcs$3.03334
- 100 pcs$2.49405
- 500 pcs$2.08962
- 1,000 pcs$1.82000
- भाग संख्या:
- SIHG33N65EF-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - SCRs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHG33N65EF-GE3 electronic components. SIHG33N65EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG33N65EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHG33N65EF-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SIHG33N65EF-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
31.6A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
109 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
171nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4026pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
313W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-247AC
प्याकेज / केस :
TO-247-3
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तातो पार्ट्स
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- IPB80N06S209ATMA1
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- FDJ129P_F077
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- FDS8812NZ
- NTD70N03R
- IPSH5N03LA G
- IPP07N03LB G
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