TK3A60DA(Q,M) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [77289पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.50590
- भाग संख्या:
- TK3A60DA(Q,M)
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA(Q,M) electronic components. TK3A60DA(Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK3A60DA(Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK3A60DA(Q,M) उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TK3A60DA(Q,M)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
श्रृंखला :
π-MOSVII
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2.5A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2.8 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.4V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
9nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
380pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
30W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220SIS
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack
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