IXTH10N100D2 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [9448पीसी स्टक]
- 1 pcs$4.82204
- 30 pcs$4.79805
- भाग संख्या:
- IXTH10N100D2
- निर्माता:
- IXYS
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in IXYS IXTH10N100D2 electronic components. IXTH10N100D2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH10N100D2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTH10N100D2 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IXTH10N100D2
निर्माता :
IXYS
वर्णन :
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
1000V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
10A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
200nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
5320pF @ 25V
FET फिचर :
Depletion Mode
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
695W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-247
प्याकेज / केस :
TO-247-3
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