Global Power Technologies Group - GSID100A120T2P2

KEY Part #: K6532547

GSID100A120T2P2 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [681पीसी स्टक]

  • 1 pcs$68.52194
  • 3 pcs$68.18104

भाग संख्या:
GSID100A120T2P2
निर्माता:
Global Power Technologies Group
विस्तृत विवरण:
SILICON IGBT MODULES.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Global Power Technologies Group GSID100A120T2P2 electronic components. GSID100A120T2P2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSID100A120T2P2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID100A120T2P2 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : GSID100A120T2P2
निर्माता : Global Power Technologies Group
वर्णन : SILICON IGBT MODULES
श्रृंखला : Amp+™
भाग स्थिति : Active
IGBT प्रकार : -
कन्फिगरेसन : Three Phase Inverter
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 200A
पावर - अधिकतम : 710W
Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 2.1V @ 15V, 100A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 1mA
इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 13.7nF @ 25V
इनपुट : Three Phase Bridge Rectifier
NTC थर्मिस्टर : Yes
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Module
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Module

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.