IXTP1R4N100P मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [49877पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.90601
- 50 pcs$0.90151
- भाग संख्या:
- IXTP1R4N100P
- निर्माता:
- IXYS
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in IXYS IXTP1R4N100P electronic components. IXTP1R4N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP1R4N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTP1R4N100P उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IXTP1R4N100P
निर्माता :
IXYS
वर्णन :
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220
श्रृंखला :
Polar™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
1000V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1.4A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 50µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
17.8nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
450pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
63W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220AB
प्याकेज / केस :
TO-220-3
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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- IRFBC30A
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- STF13NM60N-H
- IRF830
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