CSD23202W10 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [635334पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.05822
- 3,000 pcs$0.05260
- भाग संख्या:
- CSD23202W10
- निर्माता:
- Texas Instruments
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Texas Instruments CSD23202W10 electronic components. CSD23202W10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD23202W10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD23202W10 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
CSD23202W10
निर्माता :
Texas Instruments
वर्णन :
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
श्रृंखला :
NexFET™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2.2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
900mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
3.8nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) :
-6V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
512pF @ 6V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
4-DSBGA (1x1)
प्याकेज / केस :
4-UFBGA, DSBGA
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- NTD70N03R
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- IPP07N03LB G
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- BSS123ATA
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