IXFR12N100Q मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [5776पीसी स्टक]
- 1 pcs$8.66776
- 30 pcs$8.62464
- भाग संख्या:
- IXFR12N100Q
- निर्माता:
- IXYS
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in IXYS IXFR12N100Q electronic components. IXFR12N100Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR12N100Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFR12N100Q उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IXFR12N100Q
निर्माता :
IXYS
वर्णन :
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
श्रृंखला :
HiPerFET™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
1000V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
10A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.1 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5.5V @ 4mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2900pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
250W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ISOPLUS247™
प्याकेज / केस :
ISOPLUS247™
ताजा समाचारहरू
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