STB11NM60FDT4 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [30284पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.36090
- 1,000 pcs$1.21144
- भाग संख्या:
- STB11NM60FDT4
- निर्माता:
- STMicroelectronics
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and Thyristors - SCRs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in STMicroelectronics STB11NM60FDT4 electronic components. STB11NM60FDT4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB11NM60FDT4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB11NM60FDT4 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
STB11NM60FDT4
निर्माता :
STMicroelectronics
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
श्रृंखला :
FDmesh™
भाग स्थिति :
Not For New Designs
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
11A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
450 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
900pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
160W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
D2PAK
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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तातो पार्ट्स
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