Vishay Siliconix - SI4618DY-T1-GE3

KEY Part #: K6523764

SI4618DY-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [4056पीसी स्टक]

  • 2,500 pcs$0.47187

भाग संख्या:
SI4618DY-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4618DY-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI4618DY-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 8A, 15.2A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 44nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1535pF @ 15V
पावर - अधिकतम : 1.98W, 4.16W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO

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  • SI4618DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.