TK12A60D(STA4,Q,M) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [68442पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.60901
- 2,500 pcs$0.60598
- भाग संख्या:
- TK12A60D(STA4,Q,M)
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60D(STA4,Q,M) electronic components. TK12A60D(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK12A60D(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK12A60D(STA4,Q,M) उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TK12A60D(STA4,Q,M)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
श्रृंखला :
π-MOSVII
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
12A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
550 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1800pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
45W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220SIS
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- 2N7002PM,315
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