TK31V60W,LVQ मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [20242पीसी स्टक]
- 1 pcs$2.09006
- 2,500 pcs$2.07966
- भाग संख्या:
- TK31V60W,LVQ
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W,LVQ electronic components. TK31V60W,LVQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK31V60W,LVQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK31V60W,LVQ उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TK31V60W,LVQ
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
श्रृंखला :
DTMOSIV
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
30.8A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
98 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.7V @ 1.5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3000pF @ 300V
FET फिचर :
Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
240W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
4-DFN-EP (8x8)
प्याकेज / केस :
4-VSFN Exposed Pad
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- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3