ON Semiconductor - FDMS6673BZ

KEY Part #: K6404816

FDMS6673BZ मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [91530पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.42719
  • 3,000 pcs$0.41599

भाग संख्या:
FDMS6673BZ
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS6673BZ उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FDMS6673BZ
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56
श्रृंखला : PowerTrench®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 15.2A (Ta), 28A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 6.8 mOhm @ 15.2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 5915pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.5W (Ta), 73W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-PQFN (5x6)
प्याकेज / केस : 8-PowerTDFN

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