Microsemi Corporation - APT22F80B

KEY Part #: K6396158

APT22F80B मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [8040पीसी स्टक]

  • 1 pcs$5.63655
  • 10 pcs$5.07334
  • 100 pcs$4.17131
  • 500 pcs$3.49488

भाग संख्या:
APT22F80B
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 800V 22A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT22F80B उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APT22F80B
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 23A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 500 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 4595pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 625W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247 [B]
प्याकेज / केस : TO-247-3

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