Nexperia USA Inc. - BUK6E3R2-55C,127

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भाग संख्या:
BUK6E3R2-55C,127
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and Thyristors - SCRs ...
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ISO-14001
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BUK6E3R2-55C,127 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BUK6E3R2-55C,127
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 55V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 120A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 3.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.8V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 258nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 15300pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 306W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : I2PAK
प्याकेज / केस : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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