भाग संख्या :
NTLUS4C12NTBG
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
6.8A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
3.3V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
9 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
18nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1172pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
630mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-UDFN (2x2)
प्याकेज / केस :
6-UDFN Exposed Pad