NVMFS4C03NWFT1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [153519पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.24093
- 1,500 pcs$0.16978
- भाग संख्या:
- NVMFS4C03NWFT1G
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFS4C03NWFT1G electronic components. NVMFS4C03NWFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS4C03NWFT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFS4C03NWFT1G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
NVMFS4C03NWFT1G
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
31.4A (Ta), 143A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
45.2nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3071pF @ 15V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.71W (Ta), 77W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN
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