Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT180DA120U

KEY Part #: K6533649

VS-GT180DA120U मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2083पीसी स्टक]

  • 1 pcs$20.79754

भाग संख्या:
VS-GT180DA120U
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
IGBT 1200V SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GT180DA120U उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-GT180DA120U
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : IGBT 1200V SOT-227
श्रृंखला : HEXFRED®
भाग स्थिति : Active
IGBT प्रकार : Trench Field Stop
कन्फिगरेसन : Single
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 281A
पावर - अधिकतम : 1087W
Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 2.05V @ 15V, 100A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 100µA
इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 9350pF @ 25V
इनपुट : Standard
NTC थर्मिस्टर : No
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : SOT-227-4, miniBLOC
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-227

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