भाग संख्या :
GB50MPS17-247
निर्माता :
GeneSiC Semiconductor
वर्णन :
SIC DIODE 1700V 50A TO-247-2
डायोड प्रकार :
Silicon Carbide Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
1700V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
216A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.8V @ 50A
गति :
No Recovery Time > 500mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
0ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
60µA @ 1700V
Capacitance @ Vr, F :
3193pF @ 1V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-247-2
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-55°C ~ 175°C