भाग संख्या :
IPZ60R041P6FKSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V TO247-4
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
77.5A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
41 mOhm @ 35.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 2.96mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
170nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
8180pF @ 100V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
481W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO247-4