Vishay Siliconix - SI9933CDY-T1-E3

KEY Part #: K6522942

SI9933CDY-T1-E3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [344842पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.10726
  • 2,500 pcs$0.10093

भाग संख्या:
SI9933CDY-T1-E3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - SCRs and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI9933CDY-T1-E3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI9933CDY-T1-E3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 P-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 26nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 665pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 3.1W
अपरेटिंग तापमान : -50°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO

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