Diodes Incorporated - DMN63D8LDW-13

KEY Part #: K6522301

DMN63D8LDW-13 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2016851पीसी स्टक]

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  • 10,000 pcs$0.01657

भाग संख्या:
DMN63D8LDW-13
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN63D8LDW-13 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMN63D8LDW-13
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 220mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 870nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 22pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 300mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-363

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