IXYS - IXTH02N250

KEY Part #: K6397750

IXTH02N250 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [7589पीसी स्टक]

  • 1 pcs$5.97148
  • 10 pcs$5.42942
  • 100 pcs$4.61501
  • 500 pcs$3.93633

भाग संख्या:
IXTH02N250
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH02N250 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXTH02N250
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 2500V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 200mA (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 450 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 7.4nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 116pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 83W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247 (IXTH)
प्याकेज / केस : TO-247-3

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