DMTH62M8LPS-13 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [138097पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.26784
- भाग संख्या:
- DMTH62M8LPS-13
- निर्माता:
- Diodes Incorporated
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Diodes Incorporated DMTH62M8LPS-13 electronic components. DMTH62M8LPS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH62M8LPS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMTH62M8LPS-13 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
DMTH62M8LPS-13
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
100A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
96.3nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4515pF @ 30V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.13W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerDI5060-8
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN
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