Infineon Technologies - IRL100HS121

KEY Part #: K6407509

IRL100HS121 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [201485पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.18358

भाग संख्या:
IRL100HS121
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 100V 6PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - जेनर - एकल and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL100HS121 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRL100HS121
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 100V 6PQFN
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 11A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 42 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.3V @ 10µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 5.6nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 440pF @ 50V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 11.5W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-PQFN (2x2)
प्याकेज / केस : 6-VDFN Exposed Pad

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