Diodes Incorporated - DMN2016UFX-7

KEY Part #: K6522229

DMN2016UFX-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [307746पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.12019

भाग संख्या:
DMN2016UFX-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET BVDSS 8V-24V V-DFN2050-4.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2016UFX-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMN2016UFX-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET BVDSS 8V-24V V-DFN2050-4
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 24V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 9.9A (Ta)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 950pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 1.07W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 4-VFDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : V-DFN2050-4

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