DMN62D1SFB-7B मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [30530पीसी स्टक]
- 10,000 pcs$0.03628
- भाग संख्या:
- DMN62D1SFB-7B
- निर्माता:
- Diodes Incorporated
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - TRIACs and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN62D1SFB-7B electronic components. DMN62D1SFB-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN62D1SFB-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN62D1SFB-7B उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
DMN62D1SFB-7B
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
410mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.4 Ohm @ 40mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
2.8nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
80pF @ 40V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
470mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
प्याकेज / केस :
3-UFDFN
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