Nexperia USA Inc. - PMBD6050,215

KEY Part #: K6458603

PMBD6050,215 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2929868पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01262
  • 3,000 pcs$0.01207
  • 6,000 pcs$0.01089
  • 15,000 pcs$0.00947
  • 30,000 pcs$0.00852
  • 75,000 pcs$0.00757
  • 150,000 pcs$0.00631

भाग संख्या:
PMBD6050,215
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 70V 215MA SOT23. Rectifiers 85V 215mA
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMBD6050,215 electronic components. PMBD6050,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMBD6050,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMBD6050,215 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : PMBD6050,215
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : DIODE GEN PURP 70V 215MA SOT23
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 70V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 215mA (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.25V @ 150mA
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 4ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 100nA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-236AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : 150°C (Max)

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode