IXTP2N100 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [30119पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.51278
- 50 pcs$1.50525
- भाग संख्या:
- IXTP2N100
- निर्माता:
- IXYS
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एकल and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in IXYS IXTP2N100 electronic components. IXTP2N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP2N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTP2N100 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IXTP2N100
निर्माता :
IXYS
वर्णन :
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
1000V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
825pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
100W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220AB
प्याकेज / केस :
TO-220-3
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- IXTM67N10
- IRFS4321-7PPBF
- NVD4805NT4G
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- AOTF2918L
- SCH1334-TL-H
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- SI1405BDH-T1-E3
- 2SK4021(Q)
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- SPN02N60S5
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- APTM120U10SCAVG
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- IRLR3714ZTRR
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- PSMN020-30MLCX