Microsemi Corporation - APTM100DSK35T3G

KEY Part #: K6522618

APTM100DSK35T3G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1598पीसी स्टक]

  • 1 pcs$27.22101
  • 100 pcs$27.08558

भाग संख्या:
APTM100DSK35T3G
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100DSK35T3G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APTM100DSK35T3G
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1000V (1kV)
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 22A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 2.5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 186nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 5200pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 390W
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : SP3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SP3

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