Rohm Semiconductor - RTF025N03FRATL

KEY Part #: K6416614

RTF025N03FRATL मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [821443पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.04503

भाग संख्या:
RTF025N03FRATL
निर्माता:
Rohm Semiconductor
विस्तृत विवरण:
2.5V DRIVE NCH MOSFET.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - SCRs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RTF025N03FRATL उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RTF025N03FRATL
निर्माता : Rohm Semiconductor
वर्णन : 2.5V DRIVE NCH MOSFET
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.5A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 5.2nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : -
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 270pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 800mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TUMT3
प्याकेज / केस : 3-SMD, Flat Leads

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