Diodes Incorporated - DMN65D8LDW-7

KEY Part #: K6525412

DMN65D8LDW-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1244959पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.02971
  • 3,000 pcs$0.02723

भाग संख्या:
DMN65D8LDW-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN65D8LDW-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMN65D8LDW-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 180mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 6 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 0.87nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 22pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 300mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-363

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